背照式CCD光谱仪技术,广泛应用于冶金、铸造、机械、汽车制造、航空航天、兵器、金属加工等领域的生产工艺控制，炉前化验，中心实验室成品检验。

　　

　　CCD，是英文ChargeCoupledDevice即电荷耦合器件的缩写，背照式CCD光谱仪是在MOS晶体管电荷存储器的基础上发展起来的，突出的特点是以电荷作为信号，而不是以电流或电压作为信号的。在P型或N型硅单晶的衬底上生长一层厚度约为120~150nm的SiO2层，然后按一定次序沉积m行n列个金属电极或多晶硅电极作为栅极，栅极间隙约2.5μm，于是每个电极与其下方的SiO2和半导体间构成了一个MOS结构，这种结构再加上输入、输出结构就构成了m×n位CCD（m＞1，n≥1）；当n=1时，CCD器件被称为线阵CCD；当n＞1时,则为面阵CCD。CCD按受光方式分为前感光和背感光两种。前感光CCD由于正面布置着很多电极，光经电极反射和散射，不仅使得响应度大大减低（量子效率通常低于50%），也因为多次反射产品的干涉效应使光谱响应曲线出现马鞍形的起伏；背感光CCD由于避免了上述问题，因而响应度大大提高，量子效率可达到80%以上。